產(chǎn)品介紹
隨著手機(jī)快充、電動汽車、無刷電機(jī)和移動儲能的興起,中低壓MOSFET的需求越來越大。SGT MOSFET作為中低壓MOSFET的代表,被廣泛應(yīng)用于手機(jī)快充、電機(jī)驅(qū)動和電源管理系統(tǒng)等領(lǐng)域,成為關(guān)鍵性功率器件。
江蘇海矽美SGT MOS系列產(chǎn)品基于成熟的屏蔽柵溝槽技術(shù),通過優(yōu)化電場分布和溝槽結(jié)構(gòu),顯著降低Rsp【導(dǎo)通電阻Rds(on)*芯片面積】,結(jié)合高功率密度封裝(如PDFN、TO-263M超薄型系列),在相同體積下輸出更高功率。同時(shí),通過優(yōu)化屏蔽柵設(shè)計(jì),大幅降低柵極電荷Qg,反向恢復(fù)電荷Qrr,更利于減小關(guān)斷損耗以及電流尖峰,增強(qiáng)整機(jī)系統(tǒng)穩(wěn)定性。并且通過優(yōu)化輸入電容比值,加強(qiáng)了柵極抗串?dāng)_能力,使其不易發(fā)生米勒串?dāng)_,減小了直通風(fēng)險(xiǎn)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、低特征導(dǎo)通電阻Rsp【導(dǎo)通電阻Rds(on)*芯片面積】,提高功率密度。
2、低品質(zhì)因子FOM【導(dǎo)通電阻Rds(on)*柵極總電荷Qg】,減小開關(guān)損耗。
3、低反向恢復(fù)電荷Qrr,減小關(guān)斷損耗。
4、低反向恢復(fù)電流Irrm,減小關(guān)斷電壓應(yīng)力。
5、高可靠性,能夠承受更高的雪崩擊穿和浪涌電流。